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ウェーハと基板

半導体製造は、まず 良い基板を用意できるか から始まります。
どれだけ後工程や装置が優れていても、出発点のウェーハ品質が悪ければ最終特性は安定しません。

ウェーハは、単結晶シリコンのインゴットを薄く切り出し、表面を高精度に研磨した円盤状の基板です。

  • 結晶の乱れが少ない
  • 電子の移動特性を安定させやすい
  • 不純物濃度を精密に管理しやすい
  • 表面の平坦性
  • パーティクルの少なさ
  • 結晶欠陥の少なさ
  • ドーパント濃度の均一性

ウェーハは単なる土台ではありません。
後の露光位置合わせ、膜厚均一性、エッチングの再現性、CMP後の平坦化など、ほぼ全工程の基準面になります。

  • インゴット: 引き上げた円柱状の単結晶
  • スライス: インゴットを薄板化する工程
  • ラップ、ポリッシュ: 表面を整える工程
  • エピウェーハ: 表面に追加の単結晶層を成長させたウェーハ

基板ができたら、その上にどのように絶縁膜や機能膜を重ねるのか。
その出発ページが 酸化・成膜・薄膜形成 です。